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BR93A86RFJ-W

更新时间: 2024-09-17 23:13:35
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
6页 258K
描述
Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM

BR93A86RFJ-W 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:LEAD FREE, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.48
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):1.25 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.9 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:8字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):4 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

BR93A86RFJ-W 数据手册

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