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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.58 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 2 MHz | 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e2 | 长度： | 4.9 mm |
| 内存密度： | 2048 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 105 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.000002 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.0045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 宽度： | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| 写保护： | SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR93A56RFJ-WE2 | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS |
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| BR93A56RFJ-WM | ROHM |
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串行EEPROM（Electrically Erasable Programmable R |
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| BR93A56RF-LE2 | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
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| BR93A56RFVJ-WE2 | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
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| BR93A56RFVM-WE2 | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
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| BR93A56RFVM-WM | ROHM |
获取价格 |
串行EEPROM（Electrically Erasable Programmable R |
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| BR93A56RFVT-WE2 | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
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| BR93A56RFVT-WM | ROHM |
获取价格 |
串行EEPROM（Electrically Erasable Programmable R |
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| BR93A56RFV-WE2 | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
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| BR93A56RF-W | ROHM |
获取价格 |
Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM |
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