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BR9040FV-WE1

更新时间： 2024-09-17 14:49:11

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	427K
描述
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8

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BR9040FV-WE1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	4.4 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.35 mm	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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