是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | OPERATES IN 5V/3V VCC, 100,000 ERASE/WRITE CYCLES, 10 YEARS DATA RETENTION | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e2 |
长度: | 9.3 mm | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 64 words | 字数代码: | 64 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64X16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.7 mm |
串行总线类型: | 4-WIRE | 最大待机电流: | 0.000003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 宽度: | 7.62 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR9010F | ROHM |
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1, 2, and 4k bit EEPROMs for direct connection to serial ports | |
BR9010FV | ROHM |
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1, 2, and 4k bit EEPROMs for direct connection to serial ports | |
BR9010FV-W | ETC |
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メモリLSI | |
BR9010FV-WE1 | ROHM |
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EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
BR9010FV-WE2 | ROHM |
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EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
BR9010F-W | ETC |
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メモリLSI | |
BR9010F-WE1 | ROHM |
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EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
BR9010F-WE2 | ROHM |
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EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
BR9010RFVM-W | ETC |
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メモリLSI | |
BR9010RFV-W | ETC |
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メモリLSI |