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BR82D

更新时间: 2024-01-12 03:16:47
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力特 - LITTELFUSE 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 446K
描述
Bridge Rectifier Diode, 2A, 200V V(RRM),

BR82D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.12最小击穿电压:200 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:10 µA
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BR82D 数据手册

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