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BR8230

更新时间： 2024-02-11 08:18:03

品牌	Logo	应用领域
APITECH		射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	173K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 600MHz Max, H2, TO-8B

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BR8230 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	SMA-F, I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造：	COAXIAL	增益：	9 dB
最大输入功率 (CW)：	18 dBm	最大工作频率：	600 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比：	3	Base Number Matches：	1

BR8230 数据手册

Cross Reference Guide

BR8230 / SBR8230*

* Part number for additional environmental screening.

Package Drawing

Performance Data

Frequency

0.0 - 600.0 MHz

10.0 dB Typical

9.0 dB Min

Gain

7.0 dB Typical

8.0 dB Max

Noise Figure

P_1dB

16.0 dBm Typical

13.0 dBm Min

^rdOrder Intercept

^ndOrder Intercept

25.0 dBm Typical

32.0 dBm Typical

2.5/3.0 Input Typ/Max

2.0/3.0 Output Typ/Max

VSWR

-14.5 dB Typical

-13.0 dB Min

Reverse Isolation

4.5 Volts

60.0 mA

Power Supply

Operating Temperature

-55.0 - 125.0 °C

Gain

Frequency (MHz)

Noise Figure

Frequency (MHz)

Compression Point

1dB

dBm

Frequency (MHz)

Reverse Isolation

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR-82821%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 82uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-828210%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 82uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-82823%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 82uH, 3%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-82825%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 82uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core
BR82D	DIODES	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon
BR82D	LITTELFUSE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 2A, 200V V(RRM),
BR82DF	DIODES	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon
BR82DG	DIODES	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon,
BR82DL	MCC	获取价格	2 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
BR82DL	LITTELFUSE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 2A, 200V V(RRM),