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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> BR810DLCP
BR810DLCP PDF预览

BR810DLCP

更新时间： 2024-11-21 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN

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BR810DLCP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, BR-8D, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BR810DLCP 数据手册

 浏览型号BR810DLCP的Datasheet PDF文件第2页 
BR805DL  
THRU  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
BR810DL  
Features  
2 Amp Single Phase  
Bridge Rectifier  
50 to 1000 Volts  
·
·
·
Any Mounting Position  
Surge Rating Of 60 Amps  
Low Forward Voltage Drop  
BR-8D  
Maximum Ratings  
A
·
·
Operating Junction Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
Maximum Maximum  
B
RMS  
DC  
AC  
-
+
Voltage  
Blocking  
Voltage  
BR805DL  
BR81DL  
BR82DL  
BR84DL  
BR86DL  
BR88DL  
BR810DL  
BR805DL  
BR81DL  
BR82DL  
BR84DL  
BR86DL  
BR88DL  
BR810DL  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
C
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
800V  
1000V  
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
D
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
2.0A  
TC = 25°C  
G
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
50A  
8.3ms, half sine  
E
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
Element  
DIMENSIONS  
VF  
1.1V  
IFM = 1.0A per  
element;  
TA = 25°C*  
INCHES  
MIN  
---  
---  
.750  
---  
.150  
.125  
.030  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
MAX  
.693  
.504  
MIN  
---  
---  
MAX  
17.60  
12.80  
---  
6.40  
---  
NOTE  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
---  
.250  
---  
---  
.032  
19.00  
---  
3.80  
3.20  
0.76  
IR  
10mA  
1.0mA  
TJ = 25°C  
TJ = 100°C  
3PL/TYP  
---  
0.81  
Æ
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR810DLG DIODES

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 		Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM),
BR810DTP210 TAITRON

获取价格

 		2A Bridge Rectifier
BR810DTP210-26-BL TAITRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode,
BR810G HY

获取价格

 		GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
BR8-10KA1-115V MICROSEMI

获取价格

 		Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.012A (Coil), 115VDC (Coil), 1380mW (Coil), 2A (Cont
BR8-10KA14-115V MICROSEMI

获取价格

 		Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.012A (Coil), 115VDC (Coil), 1380mW (Coil), 2A (Cont
BR8-10KA5-115V MICROSEMI

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 		Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.012A (Coil), 115VDC (Coil), 1380mW (Coil), 2A (Cont
BR8-10KA9-115V MICROSEMI

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 		Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.012A (Coil), 115VDC (Coil), 1380mW (Coil), 2A (Cont
BR8-10KB1-115V MICROSEMI

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BR8-10KB14-115V MICROSEMI

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