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BR810DL

更新时间: 2024-11-18 20:28:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN

BR810DL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, BR-8D, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.45Is Samacsys:N
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

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