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BR810DG

更新时间: 2024-11-21 21:07:31
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美台 - DIODES 二极管
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1页 115K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon,

BR810DG 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-W4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73其他特性:UL RECOGNIZED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BR810DG 数据手册

  

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