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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PSIP-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.1 |
| 最小击穿电压： | 1000 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-W4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR810DF | DIODES |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon |
|
| BR810DG | DIODES |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| BR810DL | MCC |
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2 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
| BR810DL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), |
|
| BR810DL | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN |
|
| BR810DL-B | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| BR810DL-BP | MCC |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN |
|
| BR810DLC | MCC |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN |
|
| BR810DLCP | MCC |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, BR-8D, 4 PIN |
|
| BR810DLG | DIODES |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), |
|
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