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BR6264F-10L

更新时间: 2024-11-25 21:19:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 523K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

BR6264F-10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:17.8816 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.6416 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.4074 mm
Base Number Matches:1

BR6264F-10L 数据手册

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