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BR6216B-10LL

更新时间: 2024-11-28 20:33:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, SKINNY, DIP-24

BR6216B-10LL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, SKINNY, DIP-24针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T24
长度:29.6 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.98 mm最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

BR6216B-10LL 数据手册

  

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