BR62

更新时间： 2024-11-27 22:39:39

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固锝 - GOOD-ARK		整流二极管桥式整流二极管
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2页	51K
描述
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

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BR62 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-XUFM-W4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

BR62 数据手册

BR605 THRU BR610

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

Reverse Voltage -

Forward Current -

50 to 1000 Volts

6.0 Amperes

Features

Surge overload rating - 125 amperes peak

Low forward voltage drop

Small size; simple installation

Silver plated copper leads

Mounting position: Any

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Max.

Min.

Max.

0.620

0.270

0.445

Min.

14.69

5.84

0.580

0.230

0.405

0.750

0.038

15.71

6.86

11.31

10.29

19.1

0.042

0.97

1.07

HOLE FOR NO. 6 SCREW

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols

BR605

BR61

BR62

BR64

BR66

BR68

BR610

Units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS bridge input voltage

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

Volts

RRM

RMS

Maximum average forward

rectified output current at

T =100

6.0

T^C=50

I_(AV)

Amps

Volt

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave superimposed on rated load

125.0

1.0

FSM

Maximum forward Voltage drop per

element at 3.0A peak

V_F

Maximum DC reverse current at rated

DC blocking voltage per element

T =25

10.0

1.0

T^A=100

Operating temperature range

Storage temperature range

-55 to +125

-55 to +150

STG

Notes:

* Unit mounted on metal chassis

** Unit mounted on P.C. board

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