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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SOP, SOP24,.4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 90 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15.4 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR6116F-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| BR6116P-45 | ROHM |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, DIP-24 |
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| BR6118 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 10MHz Min, 200MHz Max, H2, TO-8B |
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| BR6119 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 30MHz Min, 250MHz Max, H2, TO-8B |
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| BR6121 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 20MHz Min, 200MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6131 | APITECH |
获取价格 |
10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
|
| BR6134 | APITECH |
获取价格 |
20 MHz - 200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
|
| BR6143 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 500MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6145 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 10MHz Min, 1000MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6149 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 500MHz Max, H2, TO-8B |
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