5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.81 |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| 长度： | 29.6 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.95 mm | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR6116-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| BR6116-45 | ROHM |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, DIP-24 |
|
| BR6116F-09 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| BR6116F-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| BR6116P-45 | ROHM |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, DIP-24 |
|
| BR6118 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 10MHz Min, 200MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6119 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 30MHz Min, 250MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6121 | APITECH |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 20MHz Min, 200MHz Max, H2, TO-8B |
|
| BR6131 | APITECH |
获取价格 |
10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
|
| BR6134 | APITECH |
获取价格 |
20 MHz - 200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
