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BR610

更新时间： 2024-01-17 00:01:52
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DCCOM 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 441K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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BR610 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：S-PUFM-W4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71Is Samacsys：N
其他特性：UL APPROVED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BR610 数据手册

 浏览型号BR610的Datasheet PDF文件第2页 
KBPC  
6005  
BR605  
BR610  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
THRU  
RECTIFIER SPECIALISTS  
KBPC  
610  
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts  
CURRENT - 6.0 Amperes  
FEATURES  
* Surge overload rating: 125 Amperes peak  
* Low forward voltage drop  
* Small size: simple installation  
BR-6  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed  
* Polarity: Symbols molded or marked on body  
* Mounting position: Any  
* Weight: 6.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
KBPC  
6005  
KBPC  
601  
KBPC  
602  
KBPC  
604  
KBPC  
606  
KBPC  
608  
KBPC  
610  
SYMBOL  
BR605  
50  
BR61  
100  
70  
BR62  
200  
BR64  
400  
280  
400  
6.0  
BR66  
600  
BR68  
800  
BR610  
1000  
700  
UNITS  
Volts  
V
V
RRM  
RMS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Volts  
Volts  
35  
140  
420  
560  
V
DC  
O
50  
100  
200  
600  
800  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 50 o  
I
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
125  
Amps  
Maximum Forward Voltage Drop per element at 3.0A DC  
V
F
1.0  
10  
Volts  
@TA  
C
= 25oC  
Maximum DC Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage per element  
uAmps  
I
R
= 100oC  
500  
@T  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
I2t  
127  
186  
22  
A2Sec  
pF  
0C/W  
Typical Junction Capacitance ( Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
CJ  
RθJ A  
T
J
-55 to + 125  
-55 to + 150  
0C  
0C  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
STG  
NOTES : 1.Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts  
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (13x13mm) copper pads.  
234  
EXIT  
BACK  
NEXT  
12

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