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BR35H160F-WC

更新时间: 2024-11-12 06:44:15
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罗姆 - ROHM /
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5页 162K
描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

BR35H160F-WC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:LSOP,
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最大时钟频率 (fCLK):5 MHz
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:5 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm串行总线类型:SPI
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:4.4 mmBase Number Matches:1

BR35H160F-WC 数据手册

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◇ STRUCTURE  
◇ PRODUCT  
Silicon Monolithic Integrated Circuit  
SPI BUS 16Kbit (2,048×8bit) EEPROM  
PART NUMBER  
BR35H160-WC series  
PART NUMBER  
BR35H160F-WC  
PACKAGE  
SOP8  
BR35H160FJ-WC  
BR35H160FVT-WC  
BR35H160FVM-WC  
SOP-J8  
TSSOP-B8  
MSOP8  
◇ FEATURES  
Serial Peripheral Interface  
Single power supply (2.5V~5.5V)  
1,000,000 erase/write cycles endurance (85℃)  
500,000 erase/write cycles endurance (105℃)  
300,000 erase/write cycles endurance (125℃)  
◇ ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Supply Voltage  
Vcc  
-0.3~6.5  
560ꢀ(BR35H160F-WC) *1  
560ꢀ(BR35H160FJ-WC) *2  
Power Dissipation  
Pd  
mW  
410ꢀ(BR35H160FVT-WC)  
380ꢀ(BR35H160FVM-WC)  
-65~150  
*3  
*4  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Terminal Voltage  
Tstg  
Topr  
V
-40~125  
-0.3~Vcc+0.3  
* Degradation is done at 4.5mW/℃(※1,2), 3.3mW/℃(※3), 3.1mW/℃(※4) for operation above 25℃  
◇ RECOMMENDED OPERATING CONDITION  
Parameter Symbol Rating  
Supply Voltage Vcc  
Input Voltage VIN  
Unit  
V
2.5~5.5  
0~Vcc  
V
REV. B  

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