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BR34E02NUX-WTR

更新时间： 2024-01-16 11:21:37

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

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BR34E02NUX-WTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SON
包装说明：	2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, VSON-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	1.29	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-XDSO-N8	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.11,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.6 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

BR34E02NUX-WTR 数据手册

TECHNICAL NOTE

Double-cell Memory for Plug & Play

DDR/DDR2

(For memory module) SPD Memory

BR34E02-W

●Description

BR34E02FVT-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)

●Features

・256×8 bit architecture serial EEPROM

・Wide operating voltage range: 1.7V-3.6V

・Two-wire serial interface

・High reliability connection using Au pads and Au wires

・Self-Timed Erase and Write Cycle

・Page Write Function (16byte)

・Write Protect Mode

Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh

Write Protect 1 (Onetime Rom)

Write Protect 2 (Hardwire WP PIN)

・Low Power consumption

: 00h-7Fh

: 00h-FFh

Write

Read

(at 1.7V )

0.4mA (typ.)

0.1mA(typ.)

0.1μA(typ.)

Standby ( at 1.7V )

・DATA security

Write protect feature (WP pin)

Inhibit to WRITE at low VCC

・Compact package: TSSOP-B8, VSON008X2030

・High reliability fine pattern CMOS technology

・Rewriting possible up to 1,000,000 times

・Data retention: 40 years

・Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA

・Initial data FFh at all addresses

●BR34E02-W Series

Capacity Bit format

2Kbit 256X8

Type

BR34E02-W

Power Source Voltage TSSOP-B8 VSON008X2030

1.7V～3.6V

●

Ver.A Aug.2007

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR34E02-W	ROHM	获取价格	DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory
BR34L02FVT-W	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR34L02FVT-WE2	ROHM	获取价格	2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module
BR34L02FV-W	ROHM	获取价格	256? bit Electrically Erasable PROM
BR34L02FV-W_09	ROHM	获取价格	DDR1/DDR2 For memory module) SPD Memory
BR34L02FV-WE2	ROHM	获取价格	2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module
BR34L02-W	ROHM	获取价格	2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module
BR35	TAYCHIPST	获取价格	MINI SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
BR35	PANJIT	获取价格	MINI SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
BR35	SUNMATE	获取价格	3.0A Patch Schottky diode 50V SMB series

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