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BR34E02NUX-W PDF预览

BR34E02NUX-W

更新时间： 2024-09-25 06:44:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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19页 447K
描述
DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory

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BR34E02NUX-W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, VSON-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.64
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz
JESD-30 代码：R-XDSO-N8JESD-609代码：e3
长度：3 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.6 mm
串行总线类型：I2C最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

BR34E02NUX-W 数据手册

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Memory for Plug & Play  
DDR/DDR2  
(For memory module) SPD Memory  
BR34E02FVT-W, BR34E02NUX-W  
No.09002EAT03  
●Description  
BR34E02FVT-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)  
●Features  
1) 256×8 bit architecture serial EEPROM  
2) Wide operating voltage range: 1.7V-3.6V  
3) Two-wire serial interface  
4) High reliability connection using Au pads and Au wires  
5) Self-Timed Erase and Write Cycle  
6) Page Write Function (16byte)  
7) Write Protect Mode  
Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh  
Write Protect 1 (Onetime Rom)  
Write Protect 2 (Hardwire WP PIN)  
: 00h-7Fh  
: 00h-FFh  
8) Low Power consumption  
Write (at 1.7V ) :  
Read (at 1.7V ) :  
Standby ( at 1.7V ) :  
9) DATA security  
0.4mA (typ.)  
0.1mA(typ.)  
0.1µA(typ.)  
Write protect feature (WP pin)  
Inhibit to WRITE at low VCC  
10)Compact package: TSSOP-B8, VSON008X2030  
11)High reliability fine pattern CMOS technology  
12)Rewriting possible up to 1,000,000 times  
13)Data retention: 40 years  
14)Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA  
15)Initial data FFh at all addresses  
●BR34E02-W Series  
Capacity  
2Kbit  
Bit format  
256X8  
Type  
BR34E02-W  
Power Source Voltage  
TSSOP-B8  
●
VSON008X2030  
●
1.7V～3.6V  
●Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Rating  
Unit  
V
Supply Voltage  
-0.3～+6.5  
330(BR34E02FVT-W)  
300(BR34E02NUX-W)  
-65～+125  
*1  
*2  
Power Dissipation  
Pd  
mW  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Terminal Voltage (A0)  
Tstg  
Topr  
-
-
℃
℃
V
-40～+85  
-0.3～10.0  
-0.3～VCC+0.3  
Terminal Voltage (etcetera)  
V
* Reduce by 3.3mW(*1), 3.0 mW(*2)/C over 25C  
●Recommended operating conditions  
Parameter  
Symbol  
VCC  
ＶIN  
Rating  
1.7～3.6  
0～VCC  
Unit  
V
V
Supply Voltage  
Input Voltage  
www.rohm.com  
2009.04 - Rev.A  
1/18  
© 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR34E02NUX-WE2 ROHM

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 		DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory
BR34E02NUX-WTR ROHM

获取价格

 		DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory
BR34E02-W ROHM

获取价格

 		DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory
BR34L02FVT-W ROHM

获取价格

 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR34L02FVT-WE2 ROHM

获取价格

 		2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module
BR34L02FV-W ROHM

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 		256? bit Electrically Erasable PROM
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