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BR34E02FVT-3E2

更新时间： 2024-01-18 07:35:05
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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33页 791K
描述
Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM

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BR34E02FVT-3E2 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：TSSOP, TSSOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.73
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
I2C控制字节：0110DDDR/1010DDDRJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.4 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

BR34E02FVT-3E2 数据手册

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Datasheet  
Serial EEPROM Series Standard EEPROM  
Plug & Play EEPROM  
BR34E02-3  
General Description  
BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)  
Packages W(Typ) x D(Typ) x H(Max)  
Features  
„
„
„
„
„
„
256×8 bit Architecture Serial EEPROM  
Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V  
Two-Wire Serial Interface  
Self-Timed Erase and Write Cycle  
Page Write Function (16byte)  
Write Protect Mode  
¾ Settable Reversible Write Protect Function : 00h-7Fh  
¾ Write Protect 1 (Onetime Rom)  
¾ Write Protect 2 (Hardwire WP PIN)  
Low Power consumption  
: 00h-7Fh  
: 00h-FFh  
TSSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
„
„
¾ Write  
¾ Read  
¾ Standby  
(at 1.7V)  
(at 1.7V)  
(at 1.7V)  
:
:
:
0.4mA (typ)  
0.1mA (typ)  
0.1µA (typ)  
Prevention of Write Mistake  
¾ Write Protect Feature (WP pin)  
¾ Prevention of Write Mistake at Low Voltage  
High Reliability Fine Pattern CMOS Technology  
More than 1 million write cycles  
More than 40 years data retention  
Noise Reduction Filtered Inputs in SCL / SDA  
Initial delivery state FFh  
„
„
„
„
„
VSON008X2030  
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)  
Parameter  
Supply Voltage  
Symbol  
Rating  
-0.3 to +6.5  
Unit  
V
Remark  
VCC  
Derate by 3.3mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.0mW/°C when operating above Ta=25°C  
330 (TSSOP-B8)  
300 (VSON008X2030)  
-65 to +125  
Power Dissipation  
Pd  
mW  
Storage Temperature  
Tstg  
Topr  
℃
℃
Operating Temperature  
-40 to +85  
Input Voltage / Output  
Voltage (A0)  
Input Voltage / Output  
Voltage (others)  
-
-
-0.3 to 10.0  
V
V
-0.3 to VCC+1.0  
Memory Cell Characteristics (Ta=25℃, VCC=1.7V to 5.5V)  
Limit  
Parameter  
Unit  
Min  
1,000,000  
40  
Typ  
Max  
Write / Erase Cycle (1)  
Data Retention(1)  
-
-
-
-
Times  
Years  
(1) Not 100% TESTED  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R2R0G100520-1-2  
25.Feb.2013 Rev.002  
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/30  
TSZ22111･14･001  
1234567...33

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