Datasheet > 存储 > EEPROM> BR25L040FVM-W

BR25L040FVM-W

更新时间： 2024-09-30 23:14:51

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数	文件大小	规格书
6页	338K
描述
SPI BUS 4Kbit (512 x 8bit) EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR25L040FVM-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MSOP
包装说明：	VSSOP, TSSOP8,.16	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	2.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.9 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR25L040FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L040FVM-WTL	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8,
BR25L040FVM-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L040FVT-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 4Kbit (512 x 8bit) EEPROM
BR25L040FVT-WE2	ROHM	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR25L040FV-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 4Kbit (512 x 8bit) EEPROM
BR25L040FV-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8,
BR25L040FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L040F-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 4Kbit (512 x 8bit) EEPROM
BR25L040F-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8