Datasheet > 存储 > EEPROM> BR25L020FVT-W

BR25L020FVT-W

更新时间： 2024-09-30 23:14:51

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
6页	336K
描述
SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR25L020FVT-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	LSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	长度：	4.4 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.25 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR25L020FVT-WE2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR25L020FV-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM
BR25L020FV-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8,
BR25L020FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L020F-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM
BR25L020F-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8
BR25L020F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L020F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L020-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM
BR25-L04	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier