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BR25H010FJ-W PDF预览

BR25H010FJ-W

更新时间： 2024-12-01 02:51:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
17页 1148K
描述
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type

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BR25H010FJ-W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.44
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
认证状态：Not Qualified串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

BR25H010FJ-W 数据手册

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TECHNICAL NOTE  
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series  
SPI BUS Serial EEPROMs  
Supply voltage 2.5V~5.5V  
Operating temperature -40°C ~ +125°C type  
☆
☆
BR25H010-W, BR25H020-W, BR25H040-W, BR25H080-W, BR25H160-W, BR25H320-W  
☆ : Under development  
●Description  
BR25H□□□-W series is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.  
●Features  
● High speed clock action up to 5MHz (Max.)  
● Wait function by HOLDB terminal.  
● Part or whole of memory arrays settable as read only memory area by program.  
● 2.5～5.5V single power source action most suitable for battery use.  
● Page write mode useful for initial value write at factory shipment.  
● Highly reliable connection by Au pad and Au wire.  
● For SPI bus interface (CPOL, CPHA)=(0, 0), (1, 1)  
● Auto erase and auto end function at data rewrite.  
● Low current consumption  
●Page write  
Number of  
pages  
16 Byte  
32 Byte  
At write action (5V)  
At read action (5V)  
: 1.5mA (Typ.)  
: 1.0mA (Typ.)  
BR25H010-W  
BR25H020-W  
BR25H040-W  
BR25H080-W  
BR25H160-W  
BR25H320-W  
Product  
number  
At standby action (5V) : 0.1μA (Typ.)  
● Address auto increment function at read action  
● Write mistake prevention function  
Write prohibition at power on.  
Write prohibition by command code (WRDI).  
Write prohibition by WPB pin.  
Write prohibition block setting by status registers (BP1, BP0)  
Write mistake prevention function at low voltage.  
● SOP8, SOP-J8 Package  
● Data at shipment Memory array: FFh, status register WPEN, BP1, BP0 : 0  
● Data kept for 40 years.  
● Data rewrite up to 1,000,000times.  
●BR25H series  
Power source  
Capacity Bit format  
Type  
SOP8 SOP-J8  
voltage  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
1Kbit  
2Kbit  
128×8  
256×8  
512×8  
1K×8  
2K×8  
4Kx8  
BR25H010-W  
BR25H020-W  
BR25H040-W  
BR25H080-W  
BR25H160-W  
BR25H320-W  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
32Kbit  
Ver A. Aug. 2007  
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与BR25H010FJ-W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR25H010FJ-WC ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8
BR25H010FJ-WCE2 ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR25H010FJ-WE2 ROHM

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 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H010FVJ-WE2 ROHM

获取价格

 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
BR25H010FVJ-WTR ROHM

获取价格

 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H010FVM-2C ROHM

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 		BR25H010-2C是SPI BUS接口方式的串行EEPROM。
BR25H010FVM-2CE2 ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8
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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8
BR25H010FVM-2CTR ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8
BR25H010FVM-5AC ROHM

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 		BR25H010xxx-5AC系列是支持SPI BUS接口的1KBit串行EEPROM。

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