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BR2510WA1

更新时间： 2024-11-26 20:47:19
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 189K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 1000V V(RRM), Silicon,

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BR2510WA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：S-PUFM-W4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BR2510WA1 数据手册

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RoHS  
BR25005(W) THRU BR2510(W)  
COMPLIANT  
Bridge Rectifiers  
Features  
●UL recognition, file #E230084  
Universal 3-way terminals: snap-on, wire  
wrap-around, or PCB mounting  
●High surge current capability  
●Low thermal resistance  
‐
+
~ ~  
●Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Typical Applications  
General purpose use in AC/DC bridge full wave  
rectification for power supply, home appliances,  
office equipment, industrial automation applications.  
‐
‐
~
+
~
~
Mechanical Data  
● ackage: BR,BR-W  
P
Molding compound meets UL 94 V-0  
flammability rating, RoHS-compliant  
●Terminals: Tin plated leads, solderable  
per J-STD-002 and JESD22-B102  
Suffix letter “W” added to indicate wire  
leads(e.g. BR2510W  
(T =25℃Unless otherwise specified)  
■
Maximum Ratings  
a
BR2501  
BR2501  
100  
BR2502  
BR2502  
200  
BR2504  
BR2504  
400  
BR2506  
BR2506  
600  
BR2508  
BR2508  
800  
BR2510  
BR2510  
1000  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
BR25005  
BR25005  
50  
Device marking code  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
A
RRM  
Average Rectified Output Current  
@60Hz sine wave, R-load, With heatsink,  
Tc=55℃  
I
O
25  
Surge(Non-repetitive)Forward Current  
@60H  
sine Wave, 1 cycle,  
I
Z Half-  
T =25℃  
A
FSM  
I2t  
400  
a
Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms  
Tj=25℃, Rating of per diode  
A2S  
660  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
T
-55 ~+150  
stg  
℃
℃
T
j
-55 ~+150  
Dielectric Strength, Terminals to case,  
AC 1 minute  
Vdis  
KV  
2.5  
10  
TOR  
kg·cm  
Mounting Torque  
(T =25℃Unless otherwise specified)  
■ Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
BR2501 BR2502 BR2504 BR2506 BR2508 BR2510  
BR25005  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
V
V
1.1  
10  
FM  
I
=12.5A  
=V  
FM  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per diode  
I
RRM  
V
μA  
RM RRM  
1 / 4  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-C014  
Rev. 2.1, 28-Apr-15  
www.21yangjie.com  
1234

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与BR2510WA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR251-150A1-12V MICROSEMI

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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
BR251-150A2-12V MICROSEMI

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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
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 		Power/Signal Relay, SPDT, Latched, 0.08A (Coil), 12VDC (Coil), 960mW (Coil), 25A (Contact)
BR251-1550A1-48V MICROSEMI

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