是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 8 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512X8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.006 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR2504A1 | YANGJIE |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 400V V(RRM), Silicon, | |
BR2504G | HY |
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Rectifier Diode, | |
BR2504-G | COMCHIP |
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Silicon Bridge Rectifiers | |
BR2504GW | EIC |
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Bridge Rectifier Diode, 25A, 400V V(RRM), | |
BR2504GW | BL Galaxy Electrical |
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Rectifier Diode, | |
BR2504GW | HY |
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Rectifier Diode, | |
BR2504L | YANGJIE |
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Bridge Rectifier Diode, 25A, 400V V(RRM), | |
BR2504M | EIC |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
BR2504W | BL Galaxy Electrical |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
BR2504W | EIC |
获取价格 |
SILICON BRIDGE RECTIFIERS |