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BR24T128FVJ-WE2

更新时间： 2024-11-08 20:55:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 595K
描述
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8

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BR24T128FVJ-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSSOP-8
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.32最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
内存密度：131072 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.19封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.0025 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.6 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

BR24T128FVJ-WE2 数据手册

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Datasheet  
Serial EEPROM Series Standard EEPROM  
I2C BUS EEPROM (2-Wire)  
BR24T128-W  
General Description  
BR24T128-W series is a serial EEPROM of I2C BUS Interface Method  
Features  
Packages W(Typ) x D(Typ) x H(Max)  
„ Completely conforming to the world standard I2C  
BUS.  
All controls available by 2 ports of serial clock  
(SCL) and serial data (SDA)  
„ Other devices than EEPROM can be connected to  
the same port, saving microcontroller port  
„ 1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most  
suitable for battery use  
TSSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
DIP-T8  
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm  
„ 1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible  
FAST MODE 400KHz operation  
„ Page Write Mode useful for initial value write at  
factory shipment  
„ Self-timed Programming Cycle  
„ Low Current Consumption  
TSSOP-B8J  
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm  
SOP8  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
„ Prevention of Write Mistake  
¾
¾
Write (Write Protect) Function Added  
Prevention of Write Mistake at Low Voltage  
„ More than 1 million write cycles  
„ More than 40 years data retention  
„ Noise filter built in SCL / SDA terminal  
„ Initial delivery state FFh  
MSOP8  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
SOP- J8  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
VSON008X2030  
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm  
SSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm  
Figure 1.  
BR24T128-W  
Power Source  
Capacity Bit Format  
Type  
Package  
DIP-T8  
Voltage  
BR24T128-W  
BR24T128F-W  
BR24T128FJ-W  
BR24T128FV-W  
BR24T128FVT-W  
BR24T128FVJ-W  
BR24T128FVM-W  
BR24T128NUX-W  
SOP8  
SOP-J8  
SSOP-B8  
TSSOP-B8  
TSSOP-B8J  
MSOP8  
128Kbit  
16K×8  
1.6V to 5.5V  
VSON008X2030  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R2R0G100130-1-2  
31.May.2013 Rev.003  
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/33  
TSZ22111･14･001  
1234567...36

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BR24T128FVJ-WE2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BR24G128FVJ-3GTE2 ROHM

完全替代

 EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
BR24G128FVT-3GE2 ROHM

类似代替

 EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
BR24S128FV-WE2 ROHM

类似代替

 High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

与BR24T128FVJ-WE2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR24T128FVJ-WG ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs
BR24T128FVJ-WGE2 ROHM

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