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BR24S64FVM-WTR

更新时间: 2024-09-18 11:53:11
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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41页 767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

BR24S64FVM-WTR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MSOP
包装说明:ROHS COMPLIANT, MSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.77最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:2.9 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.16封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.9 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:2.8 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE

BR24S64FVM-WTR 数据手册

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