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BR24S32FVJ-WTR

更新时间: 2024-11-07 11:55:43
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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41页 767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

BR24S32FVJ-WTR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:ROHS COMPLIANT, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.58
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHzJESD-30 代码:S-PDSO-G8
长度:3 mm内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm串行总线类型:I2C
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 msBase Number Matches:1

BR24S32FVJ-WTR 数据手册

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