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BR24S32FVJ-WE2

更新时间： 2024-11-07 06:44:15

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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41页	767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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BR24S32FVJ-WE2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	长度：	3 mm
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.19
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24S32FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FVM-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G32FVM-3。
BR24S32FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FVM-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FVT-W	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR24S32FVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FVT-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32F-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G32F-3。