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BR24S32FV-WE2

更新时间： 2024-09-18 06:44:15

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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41页	767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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BR24S32FV-WE2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.5	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DDDR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.4 mm	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BR24S32FVT-WE2	ROHM	完全替代	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVT-WE2	ROHM	功能相似	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24S32FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32F-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G32F-3。
BR24S32F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32NUX-W	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, VSON-8
BR24S32NUX-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32NUX-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S32-W	ROHM	获取价格	I2C BUS Serial EEPROMs
BR24S64FJ-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G64FJ-3。
BR24S64FJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS