是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.46 | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值: | 40 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 5 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.78 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.000002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 4.4 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR24S32F-WTR | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS | |
BR24S32NUX-W | ROHM |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, VSON-8 | |
BR24S32NUX-WE2 | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS | |
BR24S32NUX-WTR | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS | |
BR24S32-W | ROHM |
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I2C BUS Serial EEPROMs | |
BR24S64FJ-W | ROHM |
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推荐罗姆新产品采用BR24G64FJ-3。 | |
BR24S64FJ-WE2 | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS | |
BR24S64FJ-WTR | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS | |
BR24S64FVJ-W | ROHM |
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EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | |
BR24S64FVJ-WE2 | ROHM |
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High Reliability Series EEPROMs I2C BUS |