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BR24S08FVM-WTR

更新时间： 2024-11-29 11:53:11

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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41页	767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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BR24S08FVM-WTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MSOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.7	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DMMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	2.9 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.095 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	2.8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24S08FVT-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08FVT-3。
BR24S08FVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FVT-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08F-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08F-3。
BR24S08F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08NUX-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08NUX-3。
BR24S08NUX-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS