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BR24S08FVJ-WE2

更新时间： 2024-11-07 06:44:15

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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41页	767K
描述
High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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BR24S08FVJ-WE2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.69	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	长度：	3 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...41

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
24LC08BH-I/MS	MICROCHIP	功能相似	8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P
25LC080C-I/MS	MICROCHIP	功能相似	8K SPI Bus Serial EEPROM
25AA080C-I/MS	MICROCHIP	功能相似	8K SPI Bus Serial EEPROM

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24S08FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FVM-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08FVM-3。
BR24S08FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FVM-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FVT-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08FVT-3。
BR24S08FVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FVT-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24S08F-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08F-3。