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BR24L32FJ-WM

更新时间： 2024-11-07 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
26页	442K
描述
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8

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BR24L32FJ-WM 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-J8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.775 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

BR24L32FJ-WM 数据手册

BR24L32-W / BR24L32F-W / BR24L32FJ-W / BR24L32FV-W

Memory ICs

4k×8 bit electrically erasable PROM

BR24L32-W / BR24L32F-W / BR24L32FJ-W

BR24L32FV-W

The BR24L32-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 4k registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Automatic erase.

5) 32byte Page Write Mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SSOP-B8 pin

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL,SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

−65 to +125

−40 to +85

Power dissipation

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−0.3 to VCC+0.3

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

2,3 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

1/25

12 3 4 5 6 7...26

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与BR24L32FJ-WM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L32FJ-WMTR	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8
BR24L32FJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FV	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L32FVJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVM-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVT-W	ROHM	获取价格	I2C BUS 32Kbit (4,096 x 8bit) EEPROM
BR24L32FVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVT-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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