Datasheet > 存储 > EEPROM> BR24L32FJ-W

BR24L32FJ-W

更新时间： 2024-11-06 22:11:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
26页	442K
描述
4k】8 bit electrically erasable PROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR24L32FJ-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.67
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-J8	JESD-609代码：	e2
长度：	4.9 mm	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.775 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

BR24L32FJ-W 数据手册

BR24L32-W / BR24L32F-W / BR24L32FJ-W / BR24L32FV-W

Memory ICs

4k×8 bit electrically erasable PROM

BR24L32-W / BR24L32F-W / BR24L32FJ-W

BR24L32FV-W

The BR24L32-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 4k registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Automatic erase.

5) 32byte Page Write Mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SSOP-B8 pin

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL,SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

−65 to +125

−40 to +85

Power dissipation

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−0.3 to VCC+0.3

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

2,3 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

1/25

12 3 4 5 6 7...26

中文翻译

下载PDF

与BR24L32FJ-W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L32FJ-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8
BR24L32FJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FJ-WM	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8
BR24L32FJ-WMTR	ROHM	获取价格	EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8
BR24L32FJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FV	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L32FVJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L32FVM-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

与BR24L32FJ-W相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR24L32FJ-W

BR24L32FJ-W 技术参数

BR24L32FJ-W 数据手册

与BR24L32FJ-W相关器件

与BR24L32FJ-W相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR24L32FJ-W

BR24L32FJ-W 技术参数

BR24L32FJ-W 数据手册

与BR24L32FJ-W相关器件

与BR24L32FJ-W相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？