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BR24L32F-WE1

更新时间: 2024-11-29 14:48:07
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8

BR24L32F-WE1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.5
Is Samacsys:N其他特性:IT ALSO OPERATES AT 0.1MHZ AT 1.8MIN
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5 mm内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.71 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000002 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.003 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:4.4 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

BR24L32F-WE1 数据手册

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