Datasheet > 存储 > EEPROM> BR24L16FV-W

BR24L16FV-W

更新时间： 2024-11-06 22:20:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数	文件大小	规格书
26页	390K
描述
2k】8 bit electrically erasable PROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR24L16FV-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	LSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010MMMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	长度：	4.4 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

BR24L16FV-W 数据手册

BR24L16-W / BR24L16F-W / BR24L16FJ-W /

BR24L16FV-W / BR24L16FVM-W

Memory ICs

2k×8 bit electrically erasable PROM

BR24L16-W / BR24L16F-W / BR24L16FJ-W

BR24L16FV-W / BR24L16FVM-W

The BR24L16-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 2k registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16 byte page write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.2mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin) .

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800 (DIP8)

450 (SOP8)

Power dissipation

450 (SOP-J8)

300 (SSOP-B8)

310 (MSOP8)

−65 to +125

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−40 to +85

−0.3 to VCC+0.3

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

2, 3 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.1mW/°C for operation above 25°C.

1/25

12 3 4 5 6 7...26

中文翻译

下载PDF

与BR24L16FV-W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L16FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16F-W	ROHM	获取价格	2k】8 bit electrically erasable PROM
BR24L16F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16NUX-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16NUX-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L16-W	ROHM	获取价格	2k】8 bit electrically erasable PROM
BR24L256FJ-W	ROHM	获取价格	EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8
BR24L256FJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

与BR24L16FV-W相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

19
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

16
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

39
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR24L16FV-W

BR24L16FV-W 技术参数

BR24L16FV-W 数据手册

与BR24L16FV-W相关器件

与BR24L16FV-W相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR24L16FV-W

BR24L16FV-W 技术参数

BR24L16FV-W 数据手册

与BR24L16FV-W相关器件

与BR24L16FV-W相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？