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BR24L16FJ-WMTR

更新时间： 2024-11-29 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		可编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
26页	390K
描述
EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8

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BR24L16FJ-WMTR 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-J8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.74
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.775 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

BR24L16FJ-WMTR 数据手册

BR24L16-W / BR24L16F-W / BR24L16FJ-W /

BR24L16FV-W / BR24L16FVM-W

Memory ICs

2k×8 bit electrically erasable PROM

BR24L16-W / BR24L16F-W / BR24L16FJ-W

BR24L16FV-W / BR24L16FVM-W

The BR24L16-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 2k registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16 byte page write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.2mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin) .

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800 (DIP8)

450 (SOP8)

Power dissipation

450 (SOP-J8)

300 (SSOP-B8)

310 (MSOP8)

−65 to +125

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−40 to +85

−0.3 to VCC+0.3

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

2, 3 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.1mW/°C for operation above 25°C.

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BR24L16FVM	ROHM	获取价格	EEPROM,
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