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BR24L08FVM-W

更新时间： 2024-09-17 22:32:15

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器
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25页	388K
描述
1024】8 bit electrically erasable PROM

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BR24L08FVM-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MSOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.57
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DMMR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	2.9 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.095 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

BR24L08FVM-W 数据手册

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

Memory ICs

1024×8 bit electrically erasable PROM

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

The BR24L08-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗ I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 1024 registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA(Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

−65 to +125

−40 to +85

Power dissipation

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−0.3 to VCC+0.3

1 Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

2 Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

3 Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

4 Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

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