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BR24L08FV-W

更新时间： 2024-09-17 22:24:39

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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1024】8 bit electrically erasable PROM

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BR24L08FV-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DMMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	长度：	4.4 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

BR24L08FV-W 数据手册

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

Memory ICs

1024×8 bit electrically erasable PROM

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

The BR24L08-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗ I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 1024 registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA(Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

−65 to +125

−40 to +85

Power dissipation

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−0.3 to VCC+0.3

1 Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

2 Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

3 Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

4 Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

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BR24L08FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08F-W	ROHM	获取价格	1024】8 bit electrically erasable PROM
BR24L08F-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8
BR24L08F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08F-WM	ROHM	获取价格	暂无描述
BR24L08F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08NUX-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G08NUX-3。
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