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BR24L08FJ-WE1

更新时间： 2024-09-19 03:15:07

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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25页	387K
描述
EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8

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BR24L08FJ-WE1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DMMR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
写保护：	HARDWARE

BR24L08FJ-WE1 数据手册

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

Memory ICs

1024×8 bit electrically erasable PROM

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

The BR24L08-W series is 2-wire (I²C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗ I²C BUS is a registered trademark of Philips.

zApplications

General purpose

zFeatures

1) 1024 registers × 8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA(Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low VCC.

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL^•SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

Unit

−0.3 to +6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

−65 to +125

−40 to +85

Power dissipation

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

Tstg

Topr

−

°C

−0.3 to VCC+0.3

1 Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

2 Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

3 Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

4 Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

1/25

12 3 4 5 6 7...25

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与BR24L08FJ-WE1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L08FJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08FJ-WM	ROHM	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8
BR24L08FJ-WMTR	ROHM	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-J8
BR24L08FJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08FV	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L08FVJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08FVM	ETC	获取价格	EEPROM
BR24L08FVM-W	ROHM	获取价格	1024】8 bit electrically erasable PROM
BR24L08FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

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