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BR24L02FVT-W

更新时间： 2024-09-17 23:14:51

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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6页	316K
描述
IC BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM

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BR24L02FVT-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	LSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.4
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DDDR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	4.4 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BR24L02FVT-WE2	ROHM	功能相似	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02FV-WE2	ROHM	功能相似	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02FV-W	ROHM	功能相似	256x8 bit electrically erasable PROM

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR24L02FVT-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02FVT-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02FV-W	ROHM	获取价格	256x8 bit electrically erasable PROM
BR24L02FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02FV-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02F-W	ROHM	获取价格	256x8 bit electrically erasable PROM
BR24L02F-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02F-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L02NUX-W	ROHM	获取价格	推荐罗姆新产品采用BR24G02NUX-3。
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