5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 40 | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节： | 1010DDDR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.4 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 串行总线类型： | I2C | 最大待机电流： | 5e-7 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.001 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms | 写保护： | HARDWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BR24C32-WMN6TP | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24C64 | ETC |
获取价格 |
I2C Serial EEPROM |
|
| BR24C64AN-10SU-2.7 | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 2.7V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24C64F | ETC |
获取价格 |
I2C Serial EEPROM |
|
| BR24C64-MN6TP | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24C64-WMN6TP | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24CF16F | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Ferroelectric Based) |
|
| BR24CXX-10XU-1.8 | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24CXX-10XU-2.7 | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 2.7V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |
|
| BR24CXX-RXX6TP | ROHM |
获取价格 |
Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature ~40C~+85C type |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
