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BR24C21FV

更新时间： 2024-10-30 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 显示器
页数 文件大小 规格书
12页 671K
描述
ID ROM for CRT display

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BR24C21FV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, SSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.62
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：10
耐久性：100000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010XXXR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e2
长度：4.4 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：128 words字数代码：128
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.25 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.0001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：4 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

BR24C21FV 数据手册

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BR24C21 / BR24C21F / BR24C21FJ / BR24C21FV  
Memory ICs  
ID ROM for CRT display  
BR24C21 / BR24C21F / BR24C21FJ / BR24C21FV  
The BR24C21 series are 1kbits serial EEPROMs and support DDC1TM and DDC2TM interfaces for PLUG&PLAY  
displays.  
!Features  
1) 128 x 8 bits serial EEPROM  
2) Operating voltage range (2.5V∼5.5V)  
3) Completely implements DDC1TM / DDC2TM interface  
for monitor identification  
6) DATA security  
Write enable feature  
Inhibit to WRITE at low Vcc  
7) Compact packages  
Transmit-Only Mode  
Recovery Mode  
Bi-directional Mode  
8) High reliability fine pattern CMOS technology  
9) Rewriting possible up to 100,000 times  
10) Data can be stored for ten years without corruption  
11) Noise filters at SCL, SDA and VCLK pins  
4) Page write function : 8 bytes  
5) Low current consumption  
Active (at 5V) : 1.5mA (Typ.)  
Standby (at 5V) : 10µA (Typ.)  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCC  
−0.3~  
+6.5  
V
800(DIP8)  
∗1  
∗2  
450(SOP8)  
450(SOP-J8)  
350(SSOP-B8)  
Power disssipation  
Pd  
mW  
∗2  
∗3  
°C  
°C  
V
Storage temperature range  
Operating temperature range  
Terminal voltage  
Tstg  
Topr  
−
−65  
−40  
−0.3  
~+125  
~
+85  
~
V
CC+0.3  
∗1 Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.  
∗2 Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.  
∗3 Degradation is done at 3.5mW/°C for operation above 25°C.  
!Recommended operating conditions (Ta=25°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Symbol  
Limits  
2.5 5.5  
Unit  
V
V
CC  
IN  
~
V
0~  
V
CC  
V
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BR24C21FV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BR24C21FV-E2 ROHM

功能相似

 EDID Memory (For display)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR24C21FV-E1 ROHM

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8
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 		EDID Memory (For display)
BR24C32 ETC

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