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BR24A16F-WME2

更新时间： 2024-11-26 12:42:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
31页 705K
描述
Serial EEPROM Series Automotive EEPROM

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BR24A16F-WME2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：1.49最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010MMMRJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：5 mm内存密度：8192 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.78 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.002 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

BR24A16F-WME2 数据手册

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Datasheet  
Serial EEPROM Series Automotive EEPROM  
105℃ Operation I2C BUS EEPROM (2-Wire)  
BR24Axxx-WM  
(1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K)  
●General Description  
BR24Axxx-WM is a serial EEPROM of I2C BUS interface method.  
●Features  
●Packages W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)  
„ Completely conforming to the world standard I2C BUS.  
All controls available by 2 ports of serial clock  
(SCL) and serial data (SDA)  
„ Wide temperature range -40℃ to +105℃  
„ Other devices than EEPROM can be connected to  
the same port, saving microcontroller port  
„ 2.5V to 5.5V single power source operation most  
suitable for battery use  
SOP8  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
„ Page write mode useful for initial value write at  
factory shipment  
„ Auto erase and auto end function at data rewrite  
„ Low current consumption  
¾
¾
¾
At write operation (5V)  
At read operation (5V)  
At standby condition (5V) : 0.1μA (Typ.)  
: 1.2mA (Typ.) *1  
: 0.2mA (Typ.)  
SOP- J8  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
„ Write mistake prevention function  
¾
¾
Write (write protect) function added  
Write mistake prevention function at low voltage  
„ Data rewrite up to 1,000,000 times(Ta≦25℃）  
„ Data kept for 40 years(Ta≦25℃）  
„ Noise filter built in SCL / SDA terminal  
„ Shipment data all address FFh  
*1 BR24A32-WM, BR24A64-WM : 1.5mA  
MSOP8  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
●Page write  
Number of Pages  
8Byte  
16Byte  
32Byte  
BR24A04-WM  
BR24A08-WM  
BR24A16-WM  
Product  
number  
BR24A01A-WM  
BR24A02-WM  
BR24A32-WM  
BR24A64-WM  
●BR24Axxx-WM  
Capacity  
1Kbit  
Bit format  
128×8  
256×8  
512×8  
1K×8  
Type  
Power source voltage  
SOP8  
SOP-J8  
MSOP8  
BR24A01A-WM  
BR24A02-WM  
BR24A04-WM  
BR24A08-WM  
BR24A16-WM  
BR24A32-WM  
BR24A64-WM  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
2.5V to 5.5V  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
2Kbit  
●
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
32Kbit  
64Kbit  
2K×8  
4K×8  
8K×8  
○Product structure: Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100140-1-2  
31.Aug.2012 Rev.001  
©2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/28  
TSZ22111･14･001  
1234567...31

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