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BR106

更新时间： 2024-01-31 06:42:00

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平伟 - PINGWEI		二极管
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描述
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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BR106 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PB-6, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.24	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-W4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BR106 数据手册

CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

BR1005 THRU BR1010

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE：50-1000V

CURRENT：10.0A

KBPC-8/10

FEATURES

·Surge overload ratings-250 Amperes

·Low forward voltage drop

.296(7.5)

.255(6.5)

.052(1.3) DIA.

.048(1.2) TYP.

.750

_(19.1)MIN.

.770(19.6)

.730(18.5)

.520(13.2)

.480(12.2)

HOLE FOR

NO. 6 SCREW

MECHANICAL DATA

·Case:Metal or plastic shell with plastic encapsulation

·Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

·Lead: MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed

·Polarity: Symbols molded or marked on body

·Mounting: Thru hole for 6# screw

.770(19.6)

.730(18.5)

.520(13.2)

.480(12.2)

Dimensions in inches and (millimeters)

·Weight: 6.9 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

BR1005 BR101 BR102 BR104 BR106 BR108 BR1010 units

SYMBOL

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward rectified Output

Current at T_C=75°C

I_o

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rate load (JEDEC

method)

I_FSM

V_F

I_R

250

Maximum Forward Voltage Drop per element at

5.0A DC

1.1

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A=25°C

µA

500

166

200

@ T_A=100°C

per element

I²t

C_J

A²S

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Notes: 1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and fromjunction to lead mounted on P.C.B. with

0.5×0.5”(13×13mm) copper pads.

１

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR1064-2	EDAL	获取价格	SILICON HIGH VOLTAGE BOARD RECTIFIER
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BR108	MIC	获取价格	SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
BR108	CHENG-YI	获取价格	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
BR108	UNIOHM	获取价格	SINGLE PHASE 10 AMP BRIDGE RECTIFIERS
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