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BR1001MSG-G

更新时间： 2024-02-04 02:26:44

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上华 - COMCHIP		局域网二极管
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描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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BR1001MSG-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-XUFM-W4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	100 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	175 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BR1001MSG-G 数据手册

Glass Passivated Bridge Rectifiers

BR10005MSG-G Thru. BR1010MSG-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 10.0A

RoHS Device

BR6

Features

-Low forward voltage drop.

0.276(7.0)

0.236(6.0)

-Small size ; simple installation.

-Sliver plated copper leads.

0.748(19.0)

MIN.

-Surge overload rating -175 amperes peak.

0.042(1.07)

0.048(0.97)

DIA.

Mechanical Data

Hole for NO.6 Screw

0.618(15.7)

0.579(14.7)

-Polarity: As marked on Body

-Mounting position:Any

-Weight: 3.61 grams

0.445(11.3)

0.406(10.3)

0.618(15.7)

0.579(14.7)

0.445(11.3)

0.406(10.3)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

BR10005 BR1001 BR1002 BR1004 BR1006 BR1008 BR1010

MSG-G MSG-G MSG-G MSG-G MSG-G MSG-G MSG-G

Parameter

Symbol

Unit

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

RRM

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

RMS

100

1000

Maximum Average Forward Rectified

Output Current at TA=50°C

(AV)

10.0

175

1.1

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half

Sine-Wave Super Imposed On Rated Load

IFSM

Maximum Forward Voltage Drop

Per Bridge Element at 5.0A Peak

μA

°C

10.0

1.0

Maximum Reverse Current at Rate TJ=25°C

DC Blocking Voltage Per Element

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

TJ=100°C

-55 to +150

TSTG

°C

Notes:

1. Unit mounted on metal chassis.

2. Unit mounted on P.C.B.

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

REV: A

Page 1

QW-BBR89

Comchip Technology CO., LTD.

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