BR100-03 ... BR100-04
Version 2006-04-27
BR100-03 ... BR100-04
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
Bidirektionale Si-Triggerdioden (DIAC)
Breakover voltage
Durchbruchspannung
28 ... 45 V
± 2 A
Ø 2.6-0.1
Peak pulse current
Max. Triggerimpuls
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-41
DO-204AL
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 0.8±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C
Ptot
IPM
150 mW 1)
Peak pulse current (120 Hz pulse repetition rate)
Max. Triggerstrom (120 Hz Puls-Wiederholrate)
tp ≤ 20 µs
± 2 A 1)
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+100°C
-50...+175°C
Characteristics
Kennwerte
Breakover voltage
Durchbruchspannung
dV/dt = 10 V/µs
BR100-03
BR100-031
BR100-04
VBO
VBO
VBO
28 ... 36 V
30 ... 34 V
35 ... 45 V
Breakover current – Durchbruchstrom
V = 98% VBO
|V(BO)F – V(BO)R
IBO
< 50 µA
< 3.8 V
Asymmetry of breakover voltage
|
ΔVBO
Unsymmetrie der Durchbruchspannung
Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung
ΔI = IBO to/auf IF = 10 mA
dV/dt = 10 V/µs
ΔVF/R
RthA
> 5 V
< 45 K/W 1)
< 15 K/W
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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