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BQ4010MA-200 PDF预览

BQ4010MA-200

更新时间： 2024-11-29 22:07:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 747K
描述
8Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4010MA-200 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.32
最长访问时间：200 nsJESD-30 代码：R-XDMA-T28
长度：37.72 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：9.53 mm
最大待机电流：0.004 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：18.415 mm
Base Number Matches：1

BQ4010MA-200 数据手册

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bq4010/bq4010Y  
8Kx8 Nonvolatile SRAM  
At t his tim e th e int egr a l ener gy  
Features  
➤ Data retention in the absence of  
General Description  
source is switched on to sustain the  
memory until after VCC returns valid.  
The CMOS bq4010 is a nonvolatile  
65,536-bit static RAM organized as  
8,192 words by 8 bits. The integral  
control circuitry and lithium energy  
source provide reliable nonvolatility  
coupled with th e u nlim ited wr ite  
cycles of standard SRAM.  
power  
The bq4010 uses an extremely low  
s t a n d by cu r r en t CMOS SR AM,  
coupled with a small lithium coin  
cell to provide nonvolatility without  
long write-cycle times and the write-  
cycle lim it a tion s a ssocia ted with  
EEPROM.  
➤ Automatic write-protection  
during power-up/power-down  
cycles  
➤ Industry-standard 28-pin 8K x 8  
pinout  
Th e con t r ol cir cu it r y con st a n t ly  
monitors the single 5V supply for an  
out-of-tolerance condition. When VCC  
falls out of tolerance, the SRAM is  
un conditionally wr ite-protected to  
prevent inadvertent write operation.  
➤ Conventional SRAM operation;  
The bq4010 requires no external cir-  
cuitry and is socket-compatible with  
industry-standard SRAMs and most  
EPROMs and EEPROMs.  
unlimited write cycles  
➤ 10-year minimum data retention  
in absence of power  
➤ Battery internally isolated until  
power is applied  
Pin Connections  
Pin Names  
Block Diagram  
A0 –A12  
Address inputs  
DQ0–DQ7 Data input/output  
CE  
Chip enable input  
Output enable input  
Write enable input  
No connect  
OE  
WE  
NC  
VCC  
VSS  
+5 volt supply input  
Ground  
Selection Guide  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Part  
Part  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
bq4010Y -70  
bq4010Y -85  
bq4010Y -150  
bq4010Y -200  
70  
85  
-10%  
-10%  
-10%  
-10%  
bq4010 -85  
85  
-5%  
-5%  
-5%  
bq4010 -150  
bq4010 -200  
150  
200  
150  
200  
Sept. 1996 D  
1
1234567...12

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BQ4010MA-200 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BQ4010YMA-200 TI

类似代替

 8Kx8 Nonvolatile SRAM
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功能相似

 Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

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 		8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA28, DIP-28

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