Datasheet > 存储 > SRAM> BQ4010MA-150

BQ4010MA-150

更新时间： 2024-11-29 22:07:51

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德州仪器 - TI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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12页	747K
描述
8Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4010MA-150 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-T28	长度：	37.72 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	9.53 mm	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	18.415 mm	Base Number Matches：	1

BQ4010MA-150 数据手册

bq4010/bq4010Y

8Kx8 Nonvolatile SRAM

At t his tim e th e int egr a l ener gy

Features

➤ Data retention in the absence of

General Description

source is switched on to sustain the

memory until after V_CCreturns valid.

The CMOS bq4010 is a nonvolatile

65,536-bit static RAM organized as

8,192 words by 8 bits. The integral

control circuitry and lithium energy

source provide reliable nonvolatility

coupled with th e u nlim ited wr ite

cycles of standard SRAM.

power

The bq4010 uses an extremely low

s t a n d by cu r r en t CMOS SR AM,

coupled with a small lithium coin

cell to provide nonvolatility without

long write-cycle times and the write-

cycle lim it a tion s a ssocia ted with

EEPROM.

➤ Automatic write-protection

during power-up/power-down

cycles

➤ Industry-standard 28-pin 8K x 8

pinout

Th e con t r ol cir cu it r y con st a n t ly

monitors the single 5V supply for an

out-of-tolerance condition. When V_CC

falls out of tolerance, the SRAM is

un conditionally wr ite-protected to

prevent inadvertent write operation.

➤ Conventional SRAM operation;

The bq4010 requires no external cir-

cuitry and is socket-compatible with

industry-standard SRAMs and most

EPROMs and EEPROMs.

unlimited write cycles

➤ 10-year minimum data retention

in absence of power

➤ Battery internally isolated until

power is applied

Pin Connections

Pin Names

Block Diagram

A₀–A₁₂

Address inputs

DQ₀–DQ₇Data input/output

Chip enable input

Output enable input

Write enable input

No connect

V_CC

V_SS

+5 volt supply input

Ground

Selection Guide

Maximum

Access

Negative

Supply

Maximum

Access

Negative

Supply

Part

Number

Time (ns)

Tolerance

Number

Time (ns)

Tolerance

bq4010Y -70

bq4010Y -85

bq4010Y -150

bq4010Y -200

-10%

bq4010 -85

-5%

bq4010 -150

bq4010 -200

150

200

150

200

Sept. 1996 D

12 3 4 5 6 7...12

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